在快闪记忆体单元中形成自我对准浮动闸极之方法

摘要

一种于快闪记忆体单元中，形成自我对准浮动闸极之方法。于沟渠绝缘膜上形成一帽层。之后，执行蚀刻法，将该沟渠绝缘膜蚀刻成所希望之尺寸。所以，可避免沟渠绝缘膜中壕沟的产生。另外，可最小化于后续制程中所形成之浮动闸极之间隔。