高深宽比之浅沟槽隔离物的制造方法

摘要

一种高深宽比之浅沟槽隔离物的制造方法，适用于形成有一经图案化之罩幕层的半导体基底，包括下列步骤：利用上述罩幕层为遮蔽物，蚀刻半导体基底以形成一沟槽；沉积一毯覆性之第一隔离层材料于罩幕层上并填入沟槽内；进行一蚀刻程序，去除罩幕层表面之第一隔离层材料，并于沟槽内形成第一凹处；沉积一第二隔离层材料于该罩幕层上及第一凹处内，其中于第一凹处内之该第二隔离层材料具有一水平部分及一垂直部分；蚀刻去除第一凹处内垂直部分之第二隔离层材料以更形成一第二凹处；以及形成一第三隔离层于该第二凹处内。