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经营范围
发明名称
COMPLEMENTARY INSULATED GATE FIELD-EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号
JPH01117055(A)
申请公布日期
1989.05.09
申请号
JP19870275141
申请日期
1987.10.29
申请人
NEC CORP
发明人
OSONO KATSUHIRO
分类号
H01L27/08
主分类号
H01L27/08
代理机构
代理人
主权项
地址
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