发明名称 多孔质Si3N4及其制法POROUS Si3N4 AND PRODUCING METHOD THEREOF
摘要 一种多孔质Si3N4制造方法,其系制造具有高气孔率、而且具有纵横比高之Si3N4粒子之多孔质Si3N4之方法,其中包含混合Si粉末与以氧化物换算相对于100质量份Si粉末为7.5~45质量份之稀土族元素化合物的第一烧结助剂之步骤、于该混合粉末中添加黏结剂之添加步骤、使用该混合粉末与黏结剂之混合物来制作成形体之成形步骤、于氮气氛围气体中加热该成形体至300~500℃以除去黏结剂而形成脱黏结剂体之脱黏结剂步骤、于氮气氛围气体中加热至1350~1500℃并使该脱黏结剂体氮化来制作氮化体之氮化步骤、及以1750~1900℃之温度于0.1~1气压之氮气压中烧结该氮化体之烧结步骤。
申请公布号 TW200422279 申请公布日期 2004.11.01
申请号 TW093101308 申请日期 2004.01.19
申请人 住友电气工业股份有限公司 发明人 佐藤武;朴辰珠
分类号 C04B38/00 主分类号 C04B38/00
代理机构 代理人 何金涂;何秋远
主权项
地址 日本