MANUFACTURE OF BURIED HETEROJUNCTION TYPE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT,申请号JP19870272550-传众专利搜索

发明名称	MANUFACTURE OF BURIED HETEROJUNCTION TYPE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT
摘要
申请公布号	JPH01115185(A)	申请公布日期	1989.05.08
申请号	JP19870272550	申请日期	1987.10.28
申请人	FUJI ELECTRIC CO LTD	发明人	MATSUBARA KUNIO;KUNIHARA KENJI;SHINDO YOICHI
分类号	H01S5/00	主分类号	H01S5/00
代理机构		代理人
主权项
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