| 发明名称 | 一种台面半导体器件钝化工艺及设备 | ||
| 摘要 | 一种台面半导体器件钝化工艺及设备，涉及台面半导体器件生产中的气相钝化工艺及其设备。本发明采用一种改进了的高压锅作为反应室，HF—HNO<SUB>3</SUB>混合蒸汽和甲基三氯硅烷在加热、加压和红外光照的条件下对管芯发生作用，在台面上形成一层致密的钝化膜，从而提高了半导体器件的可靠性、稳定性和耐压强度等电气特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1032714A | 申请公布日期 | 1989.05.03 |
| 申请号 | CN88109699.7 | 申请日期 | 1988.11.18 |
| 申请人 | 山东师范大学 | 发明人 | 刘秀喜 |
| 分类号 | H01L21/30;H01L21/31 | 主分类号 | H01L21/30 |
| 代理机构 | 山东省高等院校专利事务所 | 代理人 | 崔日新;刘国涛 |
| 主权项 | 1、一种台面半导体器件钝化工艺，利用HF-HNO3混合蒸汽和甲基三氯硅烷先后对管芯作用，在裸露的PN结表面形成一层钝化膜，本发明的特征在于，HF-HNO3混合蒸汽和甲基三氯硅烷在高压锅中加热、加压的条件下，对管芯进行钝化。 | ||
| 地址 | 山东省济南市文化东路38号 | ||