| 主权项 |
1.一种闸介电层的制造方法,包括:于一基底中形成一井区;对该基底进行一清洗制程;对该基底进行一预回火制程;以及于该基底上形成一闸介电层。2.如申请专利范围第1项所述之闸介电层的制造方法,其中该预回火制程是在一惰性气体中进行。3.如申请专利范围第1项所述之闸介电层的制造方法,其中该惰性气体包括氮气。4.如申请专利范围第1项所述之闸介电层的制造方法,其中该预回火制程的操作温度是在900~1300℃。5.如申请专利范围第1项所述之闸介电层的制造方法,其中该预回火制程的操作时间是在15~200秒。6.如申请专利范围第1项所述之闸介电层的制造方法,其中该闸介电层的形成方法包括热氧化法。7.如申请专利范围第1项所述之闸介电层的制造方法,其中该井区形成的方法包括离子植入法。8.如申请专利范围第1项所述之闸介电层的制造方法,于该井区形成之后,于该清洗制程进行之前,更包括进行一热制程。9.如申请专利范围第8项所述之闸介电层的制造方法,其中该热制程包括快速热回火制程。10.如申请专利范围第1项所述之闸介电层的制造方法,其中该清洗制程包括以一稀释氢氟酸进行清洗。11.一种半导体元件的制造方法,包括:于一基底中形成一井区;对该基底进行一清洗制程;对该基底进行一预回火制程;于该基底上形成一闸介电层;于该闸介电层上形成一闸极;于该闸极的侧壁上形成一间隙壁;以及于该间隙壁两侧的该基底中形成一源极/汲极区。12.如申请专利范围第11项所述之半导体元件的制造方法,其中该预回火制程是在一惰性气体中进行。13.如申请专利范围第12项所述之半导体元件的制造方法,其中该惰性气体包括氮气。14.如申请专利范围第11项所述之半导体元件的制造方法,其中该预回火制程的操作温度是在900~1300℃。15.如申请专利范围第11项所述之半导体元件的制造方法,其中该预回火制程的操作时间是在15~200秒。16.如申请专利范围第11项所述之半导体元件的制造方法,其中该闸介电层的形成方法包括热氧化法。17.如申请专利范围第11项所述之半导体元件的制造方法,其中该井区形成的方法包括离子植入法。18.如申请专利范围第11项所述之半导体元件的制造方法,于该井区形成之后,于该清洗制程进行之前,更包括进行一热制程。19.如申请专利范围第11项所述之半导体元件的制造方法,其中该清洗制程包括以一稀释氢氟酸进行清洗。20.如申请专利范围第11项所述之半导体元件的制造方法,其中该源极/汲极区的形成方法包括离子植入法。图式简单说明:图1是绘示本发明所提出之闸介电层的制造流程图。图2A~图2D是依照本发明一实施例所绘示之半导体元件的制造流程剖面图。图3是绘示闸极宽度对开启状态电流的关系图。图4是绘示在闸极宽度为10m且闸极宽度为0.08m时,关闭状态电流(Ioff)对开启状态电流(Ion)的关系图。图5是绘示在闸极宽度为0.5m且闸极宽度为0.08m时,关闭状态电流对开启状态电流的关系图。图6是绘示在闸极宽度为0.2m且闸极宽度为0.08m时,关闭状态电流对开启状态电流的关系图。图7是绘示在闸极宽度为0.12m且闸极宽度为0.08m时,关闭状态电流对开启状态电流的关系图。 |
