| 主权项 |
1.一种基板处理装置,包括: 第一处理部,在为基板夹头所保持的基板插入于处 理槽的状态下,使处理液与该基板的待处理面接触 ; 基板升降机构,用于垂直移动为该基板夹头所保持 的基板; 封盖,用于选择性地开启与密闭该处理槽的开口; 以及 第二处理部,用于在已密闭该处理槽开口之封盖的 正上方,使处理液与由该基板夹头所保持之基板的 待处理面接触。 2.如申请专利范围第1项之装置,其中,该第一处理 部为用于保持该处理液于该处理槽中并将该基板 的待处理面浸入于该处理液中的结构,以使该处理 液与该基板的待处理面接触。 3.如申请专利范围第2项之装置,其中,该处理槽系 适于射出并密封容纳于其中的气体。 4.如申请专利范围第1项之装置,其中,该第一处理 部系用于使从配置在该处理槽中的处理液射出部 所射出的处理液与该基板的待处理面接触的结构 。 5.如申请专利范围第1项之装置,其中,复包括处理 液循环系统,用于回收已供应至该处理槽的处理液 ,并将该处理液供应至该处理槽。 6.如申请专利范围第1项之装置,其中,该基板夹头 为用于吸附该基板反面而保持该基板的结构,俾使 该处理液与该整个基板的待处理面接触。 7.如申请专利范围第1项之装置,其中,该基板夹头 为仅用于吸附该基板反面而保持基板的结构,藉以 使得与该基板的待处理面接触的处理液产生均匀 流动,并使该处理液与该整个基板的待处理面(包 含该基板边缘)均匀接触。 8.如申请专利范围第2项之装置,其中,该基板夹头 设有摆动机构,用于在该基板由水平位置倾斜一预 定角度时,将为该基板夹头所保持的基板浸入于保 持在该处理槽内的处理液中。 9.如申请专利范围第1项之装置,其中,复包括用于 将该封盖在二个位置间移动的致动机构,其中之该 二个位置包含有该封盖定位于该处理槽侧边的内 缩位置以及该封盖定位于该处理槽上方并密闭该 处理槽开口的密闭位置。 10.如申请专利范围第1项之装置,其中,该封盖上表 面设有处理液射出部,用于在该封盖密闭该处理槽 开口时,使该处理液与该基板的待处理面接触。 11.如申请专利范围第1项之装置,其中,该封盖上表 面设有弧边,用于当该封盖由该封盖密闭该处理槽 开口的状态进行开启时,避免残留于该封盖上表面 的处理液落入该处理槽中。 12.如申请专利范围第1项之装置,其中,该封盖具有 倾斜状或圆锥状的上表面,用于在该封盖密闭该处 理槽开口时,允许该封盖上表面上的处理液流下。 13.如申请专利范围第1项之装置,其中,复包括刮水 器、振动器或封盖旋转机构,用于移除残留于该封 盖上表面上的处理液。 14.如申请专利范围第1项之装置,其中,该处理槽上 部具有外径往上急遽缩减的倾斜壁面,使得该处理 槽开口上端的外壁面向内定位于覆盖该开口上端 之封盖的内壁面。 15.一种基板处理方法,包括: 在为基板夹头所保持之基板插入于处理槽中的状 态下,使处理液与该基板的待处理面接触; 在为该基板夹头所保持之基板升高至该处理槽正 上方的状态下,以封盖密闭该处理槽开口;以及 在已密闭该处理槽开口之封盖的正上方,使处理液 与为该基板夹头所保持之基板的待处理面接触。 16.如申请专利范围第15项之方法,其中,在该处理槽 中使该处理液与该基板的待处理面接触之步骤包 括储存该处理液于该处理槽中以及将该基板的待 处理面浸入该处理液中。 17.如申请专利范围第16项之方法,其中,复包括当该 处理槽开口为该封盖所密闭时,以惰性气体填充该 处理槽,而藉此保护该处理槽中的处理液。 18.如申请专利范围第15项之方法,其中,在该处理槽 中使该处理液与该基板的待处理面接触之步骤包 含从配置于该处理槽中的处理液射出部射出处理 液,并使该处理液与该基板的待处理面接触。 19.如申请专利范围第15项之方法,其中,复包括将已 供应至该处理槽的处理液回收,并将该处理液供应 至该处理槽。 20.如申请专利范围第15项之方法,其中,该基板夹头 系吸附该基板反面以保持该基板。 21.如申请专利范围第15项之方法,其中,该基板夹头 系仅用于吸附该基板反面而保持该基板,藉此使得 与该基板的待处理面接触的处理液产生均匀流动, 并使该处理液与该整个基板的待处理面(包含该基 板边缘)均匀接触。 22.如申请专利范围第21项之方法,其中,流动至该基 板的待处理面上的气泡或当该处理液与该基板的 待处理面接触时所产生的气泡,系由该待处理面上 均匀流动的处理液排出。 23.如申请专利范围第16项之方法,其中,将该基板的 待处理面浸入于处理液中之步骤包含当该基板倾 斜时将该基板的待处理面浸入于该处理槽内之处 理液中。 24.如申请专利范围第15项之方法,其中,藉由在二个 位置之间移动该封盖,而以该封盖选择性地开启与 密闭该处理槽开口,其中该二个位置包含使该封盖 位于该处理槽侧边的内缩位置以及使该封盖位于 该处理槽上方并密闭该处理槽开口的密闭位置。 25.如申请专利范围第15项之方法,其中,使该处理液 与该封盖上方的基板的待处理面接触之步骤包含 从安装于该封盖上表面的处理液射出部射出处理 液至该基板。 图式简单说明: 第1A图为根据本发明实施例之作为无电电镀装置 的基板处理装置的侧视图; 第1B图为示意性显示基板处理装置的剖面侧视图; 第2图为显示当封盖移至处理槽上方的位置时,封 盖与处理槽外缘部间之尺寸关系的放大局部横剖 面图; 第3A图系示意性显示输送基板时的基板夹头之横 剖面图; 第3B图为第3A图中之部B的放大图; 第4A图系示意性显示保持基板时的基板夹头之横 剖面图; 第4B图为第4A图中之部B的放大图; 第5A图系示意性显示电镀基板时的基板夹头之横 剖面图; 第5B图为第5A图中之部B的放大图; 第6图系显示基板夹头致动机构之结构的示意侧视 图; 第7A图为基板处理装置之作业(第一制程)的侧视图 ; 第7B图为示意性显示基板处理装置之作业(第一制 程)的剖面侧视图; 第8A图为基板处理装置之作业(第二制程)的侧视图 ; 第8B图为示意性显示基板处理装置之作业(第二制 程)的剖面侧视图; 第9A图为具有另一封盖安装于其上之处理槽的俯 视图; 第9B图为处理槽的侧视图; 第10A图为具有又一封盖安装于其上之处理槽的俯 视图; 第10B图为处理槽的侧视图; 第11A图为具有又一封盖安装于其上之处理槽的俯 视图; 第11B图为处理槽的侧视图; 第12A图为具有又一封盖安装于其上之处理槽的俯 视图; 第12B图为处理槽的侧视图; 第13A图为具有又一封盖安装于其上之处理槽的俯 视图; 第13B图为处理槽的侧视图; 第14A图为具有又一封盖安装于其上之处理槽的俯 视图; 第14B图为以部分剖面显示之处理槽的侧视图; 第14C图为第14B图中之部C的放大图; 第14D图为处理槽的右视图,其中封盖系以剖面表示 ; 第15图为半导体基板的放大局部横剖面图; 第16图为显示基板处理机构之布局的俯视图,其中 该基板处理机构设有基板处理装置; 第17图为显示另一个基板处理机构之布局的俯视 图; 第18图为显示另一个基板处理机构之布局的俯视 图; 第19图为第18图所示基板处理机构中之制程的流程 图; 第20图为斜面与背侧清洗单元的示意图; 第21图为退火单元之实例的垂直剖面正视图; 第22图为第21图所示之退火单元的剖面俯视图; 第23图为示意性显示根据本发明另一个实施例之 基板处理装置的剖面侧视图;以及 第24图为显示根据本发明又一个实施例之基板处 理装置的处理槽与封盖的示意图。 |
