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SE DESCRIBE UN PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO, V.GR., UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, QUE INCLUYE LA FASE DE HACER REACCIONAR POR LO MENOS DOS ENTIDADES REACTIVAS PARA FORMAR UN MATERIAL CON CONTENIDO METALICO SOBRE UNA REGION O REGIONES DE UN SUSTRATO ELABORADO O SIN ELABORAR. ES PROPIO DEL METODO EL RECONOCIMIENTO QUE UNA DE LAS ENTIDADES REACTIVAS REACCIONARA FRECUENTEMENTE CON MATERIAL DEL SUSTRATO PARA PRODUCIR RESULTADOS ANTERIORMENTE NO RECONOCIDOS Y MUY INCONVENIENTES, C.GR., LA EROSION CASI COMPLETA DE COMPONENTES DE DISPOSITIVOS FABRICADOS CON ANTERIORIDAD. POR LO TANTO, Y SEGUN EL PROCEDIMIENTO DE LA INVENCION, SE EMPLEA CUALQUIERA DE UNA VARIEDAD DE TECNICAS PARA REDUCIR EL REGIMEN DE REACCION ENTRE EL MATERIAL DEL SUSTRATO Y LA ENTIDAD QUE REACCIONA CON ESTE MATERIAL, EVITANDO AL MISMO TIEMPO UNA REDUCCION SUSTANCIAL EN EL REGIMEN DE REACCION ENTRE LAS DOS ENTIDADES.
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