| 主权项 |
1.一种发光二极体之封装结构,包括: 一金属基板,系具有一第一接脚与第二接脚,该第 一接脚具有一凹槽; 至少一发光二极体晶片,系设置于该金属基板之第 一接脚之凹槽中,其中该晶片电性连接于该金属基 板之第一接脚与第二接脚;以及 一绝缘壳体,系包覆于该晶片与该金属基板上。 2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体之封装 结构,其中该第一接脚之凹槽为四边封闭之凹槽。 3.如申请专利范围第1项所述之发光二极体之封装 结构,其中该第一接脚之凹槽为二边封闭之凹槽。 4.如申请专利范围第1项所述之发光二极体之封装 结构,其中该发光二极体晶片具有一第一电极与第 二电极,该第一电极与第二电极电性连接于该金属 基板之第一接脚与第二接脚。 5.如申请专利范围第4项所述之发光二极体之封装 结构,其中该第一电极与第二电极系指表面电极以 及底面电极。 6.如申请专利范围第4项所述之发光二极体之封装 结构,其中该第一电极与第二电极均为表面电极。 7.如申请专利范围第1项所述之发光二极体之封装 结构,其中该绝缘壳体为一聚光元件。 8.一种发光二极体之封装方法,包括: 提供一金属基板; 蚀刻该金属基板以形成第一接脚、第二接脚及该 第一接脚与第二接脚之间的刻槽,其中该第一接脚 具有一凹槽; 将晶片置放于该凹槽中,该晶片电性连接于该金属 基板之第一接脚与第二接脚;以及 填充合成聚合物于该刻槽与凹槽中,并进行封胶。 9.如申请专利范围第8项所述之发光二极体之封装 方法,其中该蚀刻步骤之前,进一步包括将该金属 基板的表面进行粗化之步骤,其中该粗化之步骤是 藉由化学程序或喷砂程序而得之。 10.如申请专利范围第8项所述之发光二极体之封装 方法,其中该凹槽为四边封闭之凹槽。 11.如申请专利范围第8项所述之发光二极体之封装 方法,其中该凹槽为二边封闭之凹槽。 12.如申请专利范围第8项所述之发光二极体之封装 方法,其中该填充合成聚合物之步骤为压模程序。 13.如申请专利范围第8项所述之发光二极体之封装 方法,其中该封胶步骤进一步包括以聚光元件进行 封胶。 图式简单说明: 第一图为习知发光二极体封装结构之剖面图; 第二图为另一习知发光二极体封装结构之剖面图; 第三图为本发明发光二极体封装结构之剖面图; 第四A图为本发明金属基板经蚀刻后之俯视图(封 闭式); 第四B图为本发明金属基板经蚀刻后之立体图(封 闭式); 第五A图为本发明固晶并打线之俯视图(封闭式); 第五B图为本发明固晶并打线之立体图(封闭式); 第六A图为本发明发光二极体经封胶后之俯视图( 封闭式); 第六B图为本发明发光二极体经封胶后之剖面图( 封闭式); 第七A图为本发明金属基板经蚀刻后之俯视图(开 放式); 第七B图为本发明金属基板经蚀刻后之立体图(开 放式); 第八A图为本发明固晶并打线之俯视图(开放式); 第八B图为本发明固晶并打线之立体图(开放式); 第九A图为本发明发光二极体经封胶后之俯视图( 开放式); 第九B图为本发明发光二极体经封胶后之剖面图( 开放式); 第九C图为本发明发光二极体经封胶后之另一剖面 图(开放式);以及 第十图为本发明发光二极体之封装方法流程图。 |
