| 发明名称 | 对非易失性存储器的并行编程 | ||
| 摘要 | 本发明的一个实施例包括：对一位线施加一第一值(A或B，图12)，对与所述位线(图9上晶体管566的漏极)及一共用选择线(图9上晶体管500的源极)相关联的字线(图9上的WLO/WL31)进行升压以基于所述第一值形成一第一状态，及切断与所述共用选择线相关联的一边界非易失性存储元件(例如图9上的532)以为与所述位线及所述共用选择线相关联的一特定非易失性存储元件(例如图9上的518)保持所述第一状态。对所述位线施加一第二值，并对所述字线的至少一子集进行升压以为与所述位线及共用选择线相关联的一不同的非易失性存储元件(例如图9上的550)形成一第二状态。所述第二状态是基于所述第二值。所述第一状态与所述第二状态在时间上重叠。根据这两个非易失性存储元件的相关联的状态对这两个非易失性存储元件并行编程。 | ||
| 申请公布号 | CN101057299A | 申请公布日期 | 2007.10.17 |
| 申请号 | CN200580025143.7 | 申请日期 | 2005.06.02 |
| 申请人 | 桑迪士克股份有限公司 | 发明人 | 丹尼尔·C·古特曼 |
| 分类号 | G11C16/04(2006.01);G11C16/10(2006.01) | 主分类号 | G11C16/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 刘国伟 |
| 主权项 | 1、一种用于对非易失性存储器进行编程的方法，其包括：对一第一NAND串上的一第一非易失性存储元件进行编程；及对所述第一NAND串上的一第二非易失性存储元件进行编程，对所述第一非易失性存储元件进行的所述编程在时间上与对所述第二非易失性存储元件进行的所述编程重叠。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||