| 摘要 |
Un procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ à porte Schottky consiste à : mettre en place une première pellicule mince 3 sur une couche semiconductrice 2, formée dans une région superficielle d'un substrat semiconducteur 1, réaliser dans le substrat 1 des régions à forte concentration d'impuretés par implantation d'ions, mettre en place sur le substrat 1 et la pellicule mince 3 une seconde pellicule mince 5 de la même épaisseur que la première, appliquer sur la seconde pellicule mince 5 une substance photosensible ayant la même vitesse de décapage que la seconde pellicule mince 5 et, après décapage de la substance photosensible jusqu'à mise à nu du dessus de la pellicule 3, élimination de celle-ci et mise en place de couches de substance photosensible 7, réaliser l'électrode porte 9 par vaporisation.
|
