发明名称 电晶体、记忆胞元阵列及制造电晶体方法
摘要 本发明提供了积体电路的一种电晶体,该电晶体包括:第一和第二源极/汲极区域;连接第一和第二源极/汲极区域的通道区域;以及经配置成用于控制在该通道中流动的电流的闸电极。该闸电极被设置在限定于半导体基板的顶表面中的闸极槽中。第一和第二源极/汲极区域至少延伸至深度d1,其中该深度d1是从基板的顶表面测量的。闸电极的顶表面以距该顶表面小于深度d1的距离设置在半导体基板顶表面之下。
申请公布号 TW200818468 申请公布日期 2008.04.16
申请号 TW096131743 申请日期 2007.08.27
申请人 奇梦达股份有限公司 发明人 约翰内斯 克鲁格;斯特凡 特根
分类号 H01L27/108(2006.01);H01L21/8242(2006.01);H01L21/336(2006.01) 主分类号 H01L27/108(2006.01)
代理机构 代理人 蔡清福
主权项
地址 德国
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