Process of depositing a refractory metal-silicide for integrated circuits manufacturing.

摘要

Procédé de dépôt de siliciure de métal réfractaire par la technique de dépôt chimique en phase vapeur à partir de précurseur de métal et du précurseur de silicium pour la fabrication de circuits intégrés, caractérisé en ce que le précurseur de métal réfractaire est mélangé sous forme gazeuse à des sous-fluorures de silicium juste avant le dépôt.