Programming method for memory cells and circuit for carrying out this method.

摘要

On évite l'utilisation de pompes de charge pour alimenter des lignes de bits au moment de la programmation des cellules (2) mémoire connectées à une ligne de bits (11) en effectuant (19) une pré-charge de cette ligne de bits simultanément avec la neutralisation (17) de la sélection de cette ligne de bits. Ultérieurement, on découple (19) le potentiel de pré-charge et on arrête (17) les effets de la neutralisation. On montre qu'en agissant ainsi on évite l'écroulement d'un générateur de potentiel (VPP) de programmation unique qui sert à alimenter toutes les lignes de bits. Il en résulte un gain de place en implantation des circuits de commande des cellules mémoire du plan mémoire. Ce procédé peut être particulièrement mis en oeuvre dans une programmation en mode de page pour des mémoires dont les cellules mémoire comportent des transistors à grille flottante du type EEPROM.