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<P>L'invention concerne les circuits intégrés incorporant des transistors à effet de champ à grille isolée.</P><P>Pour la réalisation de la grille G1, G2 de ces transistors, on propose d'utiliser une superposition d'une couche de chrome 48 et d'une couche de tungstène 50 qui s'avère particulièrement bien adaptée à résoudre non seulement le problème général de la conductivité électrique de la grille utilisée en tant qu'élément conducteur mais aussi les problèmes spécifiques des grilles prises en tant qu'éléments de commande de transistors. Ces problèmes sont en particulier la compatibilité physico-chimique entre le matériau de grille et l'isolant de grille qui est très mince et ne doit pas être détérioré; et aussi la possibilité d'obtenir des tensions de seuil adéquates de transistors à canal P et à canal N sans dopages de canal nuisibles au bon fonctionnement (surtout en technologie CMOS).</P>
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