TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A GRILLE SCHOTTKY

摘要

L'invention concerne la technologie des semi-conducteurs.

Dans un transistor MESFET comprenant un canal 3 formé par implantation d'ions donneurs dans la couche de surface d'un substrat en semi-conducteur composé 1, une électrode de grille Schottky 7 sur le canal et des électrodes de source et de drain 6a, 6b de part et d'autre de l'électrode de grille, on forme des première et seconde régions 2, 4 par implantation d'ions qui deviendront des destructeurs de porteurs. Ces régions ont des maximums de concentration dans des parties qui sont respectivement moins profonde et plus profonde que la partie qui correspond au maximum de concentration des ions donneurs du canal.

Application aux transistors à l'arséniure de gallium.