MANUFACTURE OF FIELD-EFFECT TRANSISTOR,申请号JP19870253983-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	MANUFACTURE OF FIELD-EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号	JPH0195567(A)	申请公布日期	1989.04.13
申请号	JP19870253983	申请日期	1987.10.08
申请人	SANYO ELECTRIC CO LTD	发明人	MABUCHI KATSUJI
分类号	H01L21/82;H01L21/338;H01L29/80;H01L29/812	主分类号	H01L21/82
代理机构		代理人
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