发明名称 |
ONE-TRANSISTOR MEMORY CELL FOR HIGH-DENSITY INTEGRATED DYNAMIC SEMICONDUCTOR MEMORIES, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
摘要 |
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申请公布号 |
DE3477102(D1) |
申请公布日期 |
1989.04.13 |
申请号 |
DE19843477102 |
申请日期 |
1984.12.07 |
申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT BERLIN UND MUNCHEN |
发明人 |
MULLER, WOLFGANG, DR. |
分类号 |
H01L21/82;H01L27/10;(IPC1-7):H01L27/10 |
主分类号 |
H01L21/82 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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