发明名称 | 一种制造电子器件的方法 | ||
摘要 | 在制造包括至少一层透明导电层的电子器件的方法中,包括采用一束或多束点状或线状激光束形成至少一个透明导电层部件的步骤和至少一个对透明导电层部件制作图形面形成透明导电层的步骤,上述每一种激光束都具有400nm或更短的波长和大于透明导电层光能带宽度的光能。 | ||
申请公布号 | CN1003899B | 申请公布日期 | 1989.04.12 |
申请号 | CN85104934.6 | 申请日期 | 1985.06.28 |
申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;永山进;伊藤健二 |
分类号 | H01L21/00;H01L31/18 | 主分类号 | H01L21/00 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人 | 付康 |
主权项 | 1.一种制造含有至少一层透明导电层的电子器件的方法,包括形成一透明导电层部件;其特征在于将透明导电层部件暴露于波长为400nm或更小而光能大于透明导电层部件的光能带宽度的一束或多束线状激光束的辐射之下,从而把透明导电层部件分割为透明导电层,所述激光束是由一准分子激光源获得的。 | ||
地址 | 日本东京都世田谷区北鸟山7丁目21番21号 |