| 摘要 |
Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung (10) mit einer Trench-MOS-Barrier-Schottky-Diode, die aufweist: ein Halbleitervolumen (12) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, welches Halbleitervolumen (12) eine mit einer Metallschicht (14) belegte erste Seite (16) und wenigstens einen in der ersten Seite (16) verlaufenden und wenigstens teilweise mit Metall (14, 14a) und/oder mit einem Halbleitermaterial (40; 41) eines zweiten Leitfähigkeitstyps gefüllten Graben (18) aufweist, wobei der Graben (18) wenigstens einen Wandabschnitt (20) aufweist, welcher mindestens bereichsweise eine Oxidschicht (22) aufweist. Erfindungsgemäß weist wenigstens ein neben dem Graben (18) liegender Bereich (24) der mit der Metallschicht (14) belegten ersten Seite (16) eine zwischen der Metallschicht (14) und dem Halbleitervolumen (12) liegende Schicht aus einem ersten Halbleitermaterial (26) des zweiten Leitfähigkeitstyps auf. |
