发明名称 |
一种偏晶向重掺单晶的拉制方法 |
摘要 |
本发明提供一种偏晶向重掺单晶的拉制方法,包括装料、装入偏晶向籽晶、抽空、化料、掺杂、稳温、引晶、扩肩、转肩、等径和收尾等过程,上述拉制方法使用偏晶向籽晶拉制单晶。本发明利用简单的方法有效降低了重掺单晶的RRV,改善重掺单晶的径向电阻率均匀性。 |
申请公布号 |
CN103436953B |
申请公布日期 |
2016.09.21 |
申请号 |
CN201310381232.1 |
申请日期 |
2013.08.27 |
申请人 |
天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
发明人 |
陈澄;张雪囡;张长旭;朱鹏浩;张磊;刘一波;李亚哲 |
分类号 |
C30B15/36(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I |
主分类号 |
C30B15/36(2006.01)I |
代理机构 |
天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 |
代理人 |
李莉华 |
主权项 |
一种偏晶向重掺单晶的拉制方法,其特征在于:使用偏晶向籽晶拉制重掺单晶;所述偏晶向籽晶的制备方法包括以下步骤:(1)原料单晶的定位:选取所述原料单晶的头部,选取任意棱线,沿顺时针方向选取离棱线最近的<110>面作为主参考面;(2)在所述原料单晶端面上,平行于所述主参考面的方向为X方向,垂直于所述主参考面的方向为Y方向;(3)切割加工所述原料单晶,使所述主参考面偏离度小于10′,X方向偏离2°‑4°,Y方向偏离度小于30′,切割加工后制成所述偏晶向籽晶。 |
地址 |
300384 天津市滨海新区高新区华苑产业园区(环外)海泰东路12号 |