| 发明名称 | 超导器件及其制造 | ||
| 摘要 | 一种利用超导材料的经改良的电器。为防止要在衬底上形成超导材料的陶瓷的烘烤过程中产生不希望有的氧化，将超导材料只设在超导材料不与所述半导体衬底的工作区接触的位置。 | ||
| 申请公布号 | CN1032268A | 申请公布日期 | 1989.04.05 |
| 申请号 | CN88106054.2 | 申请日期 | 1988.08.13 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平 |
| 分类号 | H01L39/00;H01L27/18 | 主分类号 | H01L39/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理有限公司 | 代理人 | 肖掬昌;肖春京 |
| 主权项 | 1、一种超导器件，其特征在于，该超导器件包括： 一半导体衬底； 一在所述衬底内形成的半导体器件； 至少一个电极，由导电材料制成，在形成过程中与所述半导体相适应；和 一超导引线，与所述电极相连接，用以从所述半导体器件取出输出信号。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||