| 摘要 |
Transistor (30) à canaux N formé dans une couche de matière semi-conductrice (34) disposée sur un substrat isolant (32). La région de source (48) a une profondeur inférieure à l'épaisseur de la couche semi-conductrice (34) de sorte qu'une région (44) de type P peut être formée dans la couche semi-conductrice (34) entre la région de source (48) et le substrat isolant (32). Cette région (44) de type P a une concentration d'impuretés suffisante pour empêcher que la région d'appauvrissement de la source (48) ne s'étende à l'interface située entre la couche de matière semi-conductrice (34) et le substrat (32). La région de type P empêche sensiblement les courants de fuite de s'écouler à contre-courant par les canaux entre la région de source (48) et la région de drain (50), le long de la partie de la couche de matière semi-conductrice (34) immédiatement adjacente au substrat isolant (32), lorsque le dispositif a été exposé à des rayonnements. |
