Mit einem Verfahren zum Ätzen (100)-Silizium, bei dem (100)-Silizium anisotrop geätzt wird, soll beim Ätzen von Silizium-Scheiben ein exakter Ätzstopp erzielt werden können. Ein niederohmiges Silizium-Substrat (2) wird verwendet. Als Ätzmaske wird eine Nitrid-über-Oxid-Doppelschicht (4,5) auf das niederohmige Substrat (2) aufgebracht. Der exakte Ätzstopp wird durch einen Übergang (1) von dem niederohmigen Substrat (2) zu einer hochohmigen Epitaxie-Schicht (3) gebildet.
