发明名称 Gas barrier on dischargers and beam waveguides.
摘要 Als Gassperrschicht, insbesondere für Wasserstoff, Sauerstoff, Tritium und Wasserdampf, für metallische Werkstoffe und nichtmetallische Werkstoffe, wie Glas, Quarz, Keramik und Cermets mit elektrisch leitender Oberfläche sowie leitfähige Kunststoffe, dient eine hochreine Galvanoaluminiumschicht (Reinheitsgrad >99,99 %), die vorzugsweise eine Dicke von 10 bis 20 µm aufweist. Durch Nachbehandlung kann die Galvanoaluminium-schicht verdichtet werden. Die Abscheidung der Galvanoaluminiumschicht erfolgt galvanisch aus aprotischen, sauerstoff- und wasserfreien Elektrolytmedien der allgemeinen Formel M<I>X.2AlR3.nLsm, worin M ein Alkalimetallion oder ein quartäres Oniumion, X ein Halogenion, vorzugsweise F<-> oder Cl<->, R einen Alkylrest, vorzugsweise CH3, C2H5, C3H7 oder C4H9, Lsm ein aromatisches Lösungsmittelmolekül, vorzugsweise Toluol, Ethylbenzol, Xylol oder ein Gemisch desselben, und n = 0 bis 12 bedeutet, gegebenenfalls in Gegenwart eines aromatischen Lösungsmittels, bei einer Badtemperatur von 50 bis 110°C und einer Stromdichte von 0,5 bis 10 A/dm² unter intensiver Badbewegung.
申请公布号 EP0309830(A1) 申请公布日期 1989.04.05
申请号 EP19880115220 申请日期 1988.09.16
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT BERLIN UND MUNCHEN 发明人 DOTZER, RICHARD, DR.;IWANTSCHEFF, GEORG, DR.
分类号 C03C25/10;C25D3/44;C25D3/66;C25D5/56;C25D7/00;F16L58/08;G21C3/07;H01B1/02 主分类号 C03C25/10
代理机构 代理人
主权项
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