台面型半导体器件的制造方法

摘要

本发明是台面形半导体器件的制造方法。采用金刚砂轮刀在已形成半导体器件图形的基片上的管芯二边开槽形成井字形的台面。所开的槽与p-n结界面接近垂直。用这种台面制造方法特别适用于制造高压大功率晶体管，可提高制得器件的击穿电压，减少二次击穿，烧结时又不易引起焊料造成的短路，提高了器件的成品率。

主权项

1.本发明是一种用金刚砂轮刀开槽制造半导体器件台面的方法，所开的槽与p-n结界面接近垂直，其特征在于开槽前在管芯表面涂胶，开槽后用有缓慢腐蚀速度的腐蚀液稍加腐蚀，然后进行表面钝化。