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<P>Un appareil de prise de vues monolithique à semiconducteurs est du type stratifié, et des couches de source 4 de lecture de charge pour les différents pixels, qui sont adjacentes à des canaux enterrés 3 de CCD verticaux, sont formées suivant une configuration telle que les réseaux de couches de source horizontalement voisines sont décalés de 1/2 pas de pixel les unes des autres suivant la direction verticale. Les canaux enterrés sont formés suivant une configuration en zigzag présentant une largeur de canal presque constante.</P>
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