| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIFS A SEMICONDUCTEUR AYANT UN CONTACT OHMIQUE |
| 摘要 |
L'invention concerne la technologie des semiconducteurs.Un procédé pour réduire la résistance de contact entre une couche de siliciure et une couche de silicium polycristallin comprend les opérations suivantes : on forme successivement une couche de silicium polycristallin 12 et une couche de siliciure 13 sur une partie de la surface supérieure d'un substrat semiconducteur 10, on forme une couche isolante 15 sur le siliciure, on forme une fenêtre de contact par gravure de la couche isolante au-dessus de la couche de siliciure, et on forme une couche de silicium polycristallin 18 sur toute la surface supérieure du substrat, après avoir effectué une implantation ionique à travers la fenêtre de contact.Application à la fabrication des mémoires vives statiques.
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| 申请公布号 |
FR2621172(A1) |
申请公布日期 |
1989.03.31 |
| 申请号 |
FR19880012582 |
申请日期 |
1988.09.27 |
| 申请人 |
SAMSUNG SEMICONDUCTOR TELECOMMUN |
发明人 |
KYU-HYUN CHOI;HEYUNG-SUB LEE;JUN-WHAN LEE |
| 分类号 |
H01L21/02;H01L21/265;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/336;H01L21/768;H01L21/8244;H01L27/11;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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