Cathode sputtering apparatus.

摘要

Bei einer Vorrichtung zum Aufbringen von Werkstoffen auf ein in einer Vakuumkammer (16, 17) angeordnetes Substrat (15), mit einem Elektronen-Emitter (9), der in einer separaten, mit der Vakuumkammer (16, 17) korrespondierenden, die Anode (11) bildenden Generatorkammer (37) angeordnet ist und der nach dem Einleiten eines Prozeßgases in die Generatorkammer (37) eine großflächige Plasmasäule (S) erzeugt, die unter der Einwirkung von Magneten (64, 30, 21, 21' 44) zwischen Elektronen-Emitter (9) und einer Targetanordnung (7) geführt ist, sind die positiven Ionen durch Anlegen einer einstellbaren negativen Spannung auf das Target (7) beschleunigbar, von wo aus die abgestäubten Metallatome auf das Substrat (15) gelangen. Die Targetanordnung (7) ist dazu in unmittelbarer Nachbarschaft des dem Elektronen-Emitter (9) gegenüberliegenden Endes des die Prozeßkammer (37) verlängernden Rohrstutzens (19) angeordnet, wobei ein dem Substrat (15) benachbarter Magnet (106) eine Teilung und Umlenkung des abgeteilten Plasmafadens ( S2) bewirkt.