发明名称 半导体电路不稳定性解决效率提高
摘要 本发明从电路结构上来解决各种半导体电路中存在的热不稳定性,提高功放电路的晶体管和电路效率,在晶体管发射结加偏置电压,使偏置电路中串接的温度敏感元件随管温变化的电压值,与发射结内建场电压随结温的变化值近似相等,偏置电压与内建场电压之差,为不随温度变化的常数,和根据电路工作状态调整偏压,来解决电路热不稳定性。并由于发射极电阻可取任意值,输入电压能与偏压叠加到发射结上,可提高功放电路中的晶体管和电路效率。输出功率能增大10~300%以上。并可制造大功率集成电路,和提高各种半导体电子设备的电可靠性,降低设备成本。
申请公布号 CN1003755B 申请公布日期 1989.03.29
申请号 CN86108332.6 申请日期 1986.12.06
申请人 汪克明 发明人 汪克明
分类号 H03F1/30;H03F3/343;H03F3/04;H03F1/52 主分类号 H03F1/30
代理机构 代理人
主权项 一、在半导体电子技术中,一种具有特性稳定,效率高的半导体电路是:1.晶体管电路是在晶体管发射结加正偏置电压,偏置电压电路中串接正向偏置的二极管D1或负温度系数的热敏电阻,其特征是:a、二极管D1或热敏电阻与晶体管管温相同。b、二极管D1或热敏电阻的电压降,在晶体管集电极电流流通角大于和等于180°的电路中,近似等于晶体管发射结内建场电压;在晶体管集电极电流流通角小于180°的电路中,低于晶体管发射结内建场电压。c、晶体管偏置电压与晶体管发射结内建场电压之差,近似等于与温度变化无关的常数。d、在晶体管集电极电流流通角等于和小于180°的电路中,输入信号电压与偏置电压成叠加的加到晶体管发射结上。e、在晶体管集电极电流流通角等于和小于180°的电路中,在晶体管的偏置电压点,加接反向偏置的二极管D2。f、晶体管发射极电阻RE的阻值可取任意值,甚至为零。
地址 贵州省贵阳市邮政局包刷科