| 发明名称 |
Optoelectronic device formed by III-V-compounds on a silicon substrate. |
| 摘要 |
<p>L'invention concerne un dispositif optoélectronique implanté sur substrat silicium (1) et comprenant notamment sur ce substrat un ensemble de couches d'adaptation (2) sur lequel est réalisé une première couche de confinement (3) à base de phosphure d'indium, une couche active (4) à base de Gax In1-x Asy P1-y et une deuxième couche active (5) du phosphure d'indium. Applications : Dispositif optoélectronique du domaine des télécommunications notamment.</p> |
| 申请公布号 |
EP0309333(A1) |
申请公布日期 |
1989.03.29 |
| 申请号 |
EP19880402366 |
申请日期 |
1988.09.20 |
| 申请人 |
THOMSON-CSF |
发明人 |
RAZEGHI, MANIJEH;BLONDEAU, ROBERT;OMNES, FRANCK;DEFOUR, MARTIN;DORIATH, GERARD |
| 分类号 |
H01L31/18;H01L33/00 |
主分类号 |
H01L31/18 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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