| 发明名称 |
High density vertical trench transistor and capacitor memory cell structure and fabrication method therefor |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US4816884(A) |
申请公布日期 |
1989.03.28 |
| 申请号 |
US19870075791 |
申请日期 |
1987.07.20 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
HWANG, WEI;LU, NICKY C. |
| 分类号 |
H01L27/04;H01L21/334;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108;H01L29/94;(IPC1-7):H01L29/78;H01L29/06;H01L27/02 |
主分类号 |
H01L27/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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