| 发明名称 |
INSULATED-GATE FIELD-EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
JPS6477157(A) |
申请公布日期 |
1989.03.23 |
| 申请号 |
JP19870234525 |
申请日期 |
1987.09.18 |
| 申请人 |
TEXAS INSTR JAPAN LTD |
发明人 |
NIBUYA TAKAYUKI;OGATA YOSHIHIRO |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/8238;H01L27/08;H01L27/092 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
