INTEGRATED CIRCUIT TRENCH CELL

摘要

Une cellule de circuit intégré à tranchée à éléments multiples (10) comporte au moins un transistor à effet de champ (FET) vertical (46) dans une paroi (17) d'une tranchée (18) ménagée dans un substrat semi-conducteur (12). La cellule (10) comporte également à l'intérieur de la tranchée (18) un dispositif de charge centrale (54) qui est relié électriquement au dispositif à effet de champ vertical (46). Le dispositif de charge centrale (54) peut être un dispositif de charge active telle qu'un autre transistor à effet de champ, ou bien un dispositif de charge passive tel qu'une résistance. En outre, un autre transistor à effet de champ (50) peut être agencé dans une paroi (19) de la tranchée (18) ou dans une orientation latérale adjacente à la tranchée (18) dans la surface semi-conductrice (14). Deux de ces cellules à tranchée à éléments multiples (10) peuvent être interconnectées dans diverses configurations destinées à former des cellules classiques de mémoire RAM statique (56).