非晶硅光位置敏感器件

摘要

本发明属半导体非晶硅光位置敏感器件。它是利用非晶硅材料的单质结或异质结的横向光生伏特效应制成的可测量光点位置信息的新型器件。由于本光位置敏感器件制造工艺简单，输出光敏信号较大，对位置控制、目标跟踪及计算机方面的应用具有广阔的前景。

主权项

1、一种光位置敏感器件，由芯片和电极组成，电极[14]、[15]和[16]、[17]或[23]、[24]和[25]、[26]相互垂直。用铝、金、镍、铬等金属材料在芯片表面进行真空镀膜而成，电极用金属丝引出，光位置敏感器件的特征是芯片可做成单质结或异质结i-a-Si∶H/P-C-Si、i-a-Si∶H/n+-a-Si∶H或i-a-Si∶H/P+-a-Si∶H结构，其具体结构是上层为本征氢化非晶硅(i-a-Si∶H)层[11]或[21]，下层可为P型单晶硅衬底[22]，也可以为掺有N型或P型杂质的非晶硅重掺杂层(N+-a-Si∶H或P+-a-Si∶H)[12]，底下[13]用玻璃平片作为衬底。