SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND INTERCONNECTING LAYERS,申请号IE19820002220-传众专利搜索

发明名称	SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND INTERCONNECTING LAYERS
摘要
申请公布号	IE53844(B1)	申请公布日期	1989.03.15
申请号	IE19820002220	申请日期	1982.09.10
申请人	FUJITSU LTD.	发明人
分类号	H01L29/78;H01L21/285;H01L21/31;H01L21/324;H01L21/74;H01L21/76;H01L21/762;H01L21/768	主分类号	H01L29/78
代理机构		代理人
主权项
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