| 发明名称 | 直拉硅单晶的气相掺氮方法 | ||
| 摘要 | 一种直拉硅单晶的气相掺氮方法，采用纯度为99.99％的氮气或者氩-氮混合气作为保护气氛实现气相掺氮，控制炉内气体压力为5～60托，最佳压力为15～25托，气体流量为1～6m2/hr，最佳流量为2～5m3/hr，制造氮含量为1×1014～4.5×1015/cm3的硅单晶，成品率不低于70％。应用这种气相掺氮方法，保护气体的成本可降低40～50％，其硅片有良好的机械性能，在制作半导体器件工艺过程中，硅片的破碎率降低10～15％。 | ||
| 申请公布号 | CN1003607B | 申请公布日期 | 1989.03.15 |
| 申请号 | CN87105811.1 | 申请日期 | 1987.08.22 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 阙端麟;李立本;陈修治 |
| 分类号 | C30B29/06 | 主分类号 | C30B29/06 |
| 代理机构 | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人 | 连寿金 |
| 主权项 | 1.一种直拉硅单晶的气相掺氮方法，其特征在于采用纯度为99.99％氮气，或纯度皆为99.99％的氩+氮混合气作为掺杂气体，炉内气体压力为5～60托，气体流量为1～6m3/hr，当采用氩+氮混合气作为掺杂气体时，氩气成份为1～99％(体积)，其余为氮气。 | ||
| 地址 | 浙江省杭州市玉泉 | ||