| 摘要 |
<p>Inventia se refera la un procedeu de microaliere superficiala a siliciului monocristalin cu metale refractare, prin depunere cu laser a stratului superficial, aceste structuri fiind utilizate în tehnica dispozitivelor semiconductoare. Procedeul conform inventiei consta în obtinerea într-o singura etapa a structurilor de tip siliciu-metal refractare, folosind un amestec stoichiometric, format din pulberi de aluminiu si de oxid ale metalului refractar, care poate fi, de exemplu, molibden, amestecul fiind depus pe suprafata unei probe de siliciu. în amestecul amintit are loc o reactie de aluminotermie, initiala si condusa de o radiatie laser în unda continua. Caldura degajata în cursul acestei reactii puternic exoterme are ca efect topirea superficiala a siliciului, formând un strat intermediar de siliciura metalica. Procedeul permite reducerea consumurilor de energie si material.</p> |
