| 摘要 |
Zur Verbesserung der Planarisierung und der Zuverlässigkeit für niederohmige Aluminium-Metallisierungen wird das mit einer Titan/Titannitrid-Doppelschicht (5, 6) als Diffusionsbarriereschicht versehene Substrat (1, 2, 3) mit Kontaktloch mit einer Aluminium/Silizium-Legierung (7) versehen bzw. gefüllt und darauf eine Sandwichstruktur bestehend aus einer Folge von n Aluminium/Silizium-Schichten (9, 19, 29, 39) mit n - 1 Zwischenlagen (8, 18, 28) aus Titan aufgebracht, wobei das Schichtdickenverhältnis der Titanzwischenschichten (8, 18, 28) zur Gesamtschichtdicke d der Metallisierung sich wie 1 : 10 verhält. Die so hergestellte Multisandwich-Metallisierung wird verwendet bei VLSI-Schaltungen und erzielt bei gleichem spezifischen Widerstand eine 10 bis 100-fache höhere Lebensdauer als die sonst üblichen Aluminium/Silizium/Titan-Legierungen. |
