| 摘要 |
<p>L'invention concerne un transistor hyperfréquence réalisé en matériaux III-V, tels que Ga As et Al Ga As. Ce transistor comporte essentiellement une double hétérojonction formée par une première couche (4) de matériau à grande bande interdite, dopée n par exemple, une deuxième couche (5) à faible bande interdite, non dopée, et une troisième couche (6) à grande bande interdite, dopée p. Sous l'action du champ électrique de la grille (9), il peut se former simultanément ou non dans la deuxième couche (5) un gaz bidimensionnel d'électrons (7) à l'interface avec la première couche (4) et un gaz bidimensionnel de trous (8) à l'interface avec la troisième couche (6). En jouant sur l'épaisseur (do, d1, d2) des couches (4, 5, 6) on peut symétriser les caractéristiques des canaux n et p. Applications à l'électronique haute fréquence, en doubleur de fréquence ou en logique complémentaire.</p> |
