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发明名称 A METHOD OF FORMING AN OHMIC CONTACT TO A GROUP III-V SEMICONDUCTOR AND A SEMICONDUCTOR INTERMEDIATE MANUFACTURING PRODUCT
摘要
申请公布号 EP0200059(A3) 申请公布日期 1989.02.22
申请号 EP19860105004 申请日期 1986.04.11
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 JACKSON, THOMAS NELSON;KIRCHNER, PETER DANIEL;PETTIT, GEORGE DAVID;RUTZ, RICHARD FREDERICK;WOODALL, JERRY MACPHERSON
分类号 H01L21/338;H01L21/28;H01L21/285;H01L29/41;H01L29/43;H01L29/45;H01L29/80;H01L29/812;(IPC1-7):H01L21/285 主分类号 H01L21/338
代理机构 代理人
主权项
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