发明名称 |
带动态控制的电荷耦合半导体器件 |
摘要 |
利用电极(21、22、31、32……)在钟信号和基准信号之间单独切换的方法,在CCD,尤其在图象敏感器件中,信息密度能加倍,钟信号和基准信号作为受多相钟控制的移位寄存器(13)的输出信号,它是(例如)用C-MOS技术实现的,根据寄存器钟的钟脉冲信号,在移位寄存器(13)的第一级(101)输入端(107)上的信息通过或通不过之后,它决定移位寄存器(13)的下一级(101)的输出信号,因而决定连接到(101)级输出(113)的电极(21、22、31、32……)上电压的变化。 |
申请公布号 |
CN1003335B |
申请公布日期 |
1989.02.15 |
申请号 |
CN85104640.1 |
申请日期 |
1985.06.15 |
申请人 |
菲利浦光灯制造公司 |
发明人 |
肖春京 |
分类号 |
H01L29/76;H01L27/14;H04V3/15;G11C19/28 |
主分类号 |
H01L29/76 |
代理机构 |
中国专利代理有限公司 |
代理人 |
李先春 |
主权项 |
1.电荷耦合器件包含一半导体基片,在其主表面上限定至少一条电荷迁移沟道,并在同一主表面上备有各电极系统,在电极上可供给为电荷贮存的调节信号和为电荷迁移的时钟信号,此器件的特征是,半导体器件至少包含一个移位寄存器,能受单相或多相时钟所控制,并有若干级,还包含以电气导通方式分别连接到移位寄存器各级的电极。 |
地址 |
荷兰艾恩德霍芬 |