Semiconductor element with a Schottky contact stable at a high temperature.

摘要

Halbleiterbauelement mit hochtemperaturstabilem Schottky-Kontakt, bestehend aus einer Wolfram-Bor-Legierung hohen Schmelzpunktes, die amorph abgeschieden wird und während des Temperprozesses eine stabile Schottky-Barriere beibehält, wobei die physikalischen Eigenschaften des Schottky-Kontaktes erhalten bleiben und eine besonders hohe Barrierewirkung gegen Materialdiffusion erzielt wird.