| 发明名称 |
ESTRUTURA DE CELULA DE MEMORIA DE ALTA DENSIDADE DOTADA DE UM TRANSISTOR VERTICAL DE TRINCHEIRA,AUTO-ALINHADO COM UM CAPACITOR VERTICAL DE TRINCHEIRA E PROCESSO DE FABRICACAO PARA A MESMA |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
BR8803628(A) |
申请公布日期 |
1989.02.14 |
| 申请号 |
BR19880003628 |
申请日期 |
1988.07.20 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS CORPORATION |
发明人 |
WEI HWANG;NICKY CHAU-CHUN LU |
| 分类号 |
H01L27/10;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/04;H01L27/108;H01L29/78;(IPC1-7):G11C11/34;G11C11/21 |
主分类号 |
H01L27/10 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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