| 摘要 |
<P>L'invention concerne un transistor hyperfréquence réalisé en matériaux III-V, tels que Ga As et Al Ga As.</P><P>Ce transistor comporte essentiellement une double hétérojonction formée par une première couche 4 de matériau à grande bande interdite, dopée n par exemple, une deuxième couche 5 à faible bande interdite, non dopée, et une troisième couche 6 à grande bande interdite, dopée p. Sous l'action du champ électrique de la grille 9, il peut se former simultanément ou non dans la deuxième couche 5 un gaz bidimensionnel d'électrons 7 à l'interface avec la première couche 4 et un gaz bidimensionnel de trous 8 à l'interface avec la troisième couche 6. En jouant sur l'épaisseur d0 , d1 , d2 des couches 4, 5, 6 on peut symétriser les caractéristiques des canaux n et p.</P><P>Applications à l'électronique haute fréquence, en doubleur de fréquence ou en logique complémentaire.</P>
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