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发明名称 METHOD FOR FORMING METAL LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED THEREBY
摘要
申请公布号 EP0273715(A3) 申请公布日期 1989.02.08
申请号 EP19870311389 申请日期 1987.12.23
申请人 FUJITSU LIMITED;FUJITSU VLSI LIMITED 发明人 INOUE, MINORU HAINESU MIZONOKUCHI 213;HASHIZUME, KOUZI FUJITSU DAI 11 NAKAHARA RYO
分类号 C23C14/16;C23C14/14;C23C14/34;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/3205;(IPC1-7):H01L21/31 主分类号 C23C14/16
代理机构 代理人
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