发明名称 真空断路器触头
摘要 一种包括触头(21和27)的真空断路器(11),触头由铜、铬、铋和至少0.5重量%氧化铬混合物制成,该混合物可以另外包含少量的银、铁和钛。氧化铬能够阻碍铜粒生长,将铋固定在基体内,并增加真空断路器的绝缘强度。
申请公布号 CN1030999A 申请公布日期 1989.02.08
申请号 CN88104348.6 申请日期 1988.07.13
申请人 西屋电气公司 发明人 文森特·J·桑蒂利
分类号 H01H1/02 主分类号 H01H1/02
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人 付康
主权项 1、一种用于真空断路器中的致密的烧结真空断路器触头,改进的特征在于上述触头包含高度分散在50-75重量%铜粒中的2·5~15重量%铋,触头的其余成分有铬及三氧化二铬(Cr2O3)和三氧化铬(CrO3)的混合物,其中铬的氧化物在连接的、均匀分布的网状组织中包围铜,铋和铬。
地址 美国宾夕法尼亚州