发明名称 | 真空断路器触头 | ||
摘要 | 一种包括触头(21和27)的真空断路器(11),触头由铜、铬、铋和至少0.5重量%氧化铬混合物制成,该混合物可以另外包含少量的银、铁和钛。氧化铬能够阻碍铜粒生长,将铋固定在基体内,并增加真空断路器的绝缘强度。 | ||
申请公布号 | CN1030999A | 申请公布日期 | 1989.02.08 |
申请号 | CN88104348.6 | 申请日期 | 1988.07.13 |
申请人 | 西屋电气公司 | 发明人 | 文森特·J·桑蒂利 |
分类号 | H01H1/02 | 主分类号 | H01H1/02 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人 | 付康 |
主权项 | 1、一种用于真空断路器中的致密的烧结真空断路器触头,改进的特征在于上述触头包含高度分散在50-75重量%铜粒中的2·5~15重量%铋,触头的其余成分有铬及三氧化二铬(Cr2O3)和三氧化铬(CrO3)的混合物,其中铬的氧化物在连接的、均匀分布的网状组织中包围铜,铋和铬。 | ||
地址 | 美国宾夕法尼亚州 |