在局部提供沉陷氧化层的硅半导体器件制造方法

摘要

在局部提供凹陷氧化层的硅半导体器件制造方法。这种方法是：在硅片表面，提供第一次氧化掩蔽后，在硅中形成凹陷区，它的两个侧面延伸在第一次氧化掩蔽的下面。用第二次氧化掩蔽提供侧面后，进行氧化处理。按照本发明，提供的凹陷区，它的侧面是平的，而且和原始表面成25°到45°角，而由5到50毫微米厚的氮化硅或含氧氮化硅形成的第二次氧化掩蔽，把它直接应用到两个侧面，或在这里，用小于5毫微米厚度的氧化硅进行隔离。用这个方法，导致很平的结构。

主权项

1.在局部提供沉陷氧化层的硅半导体器件制造方法是：在硅片表面的局部提供第一次氧化掩蔽后，在硅片内形成凹陷区，凹陷区的两个侧面至少部分地延伸在第一次氧化掩蔽的下面，因此，在凹陷区两个侧面上提供与第一次氧化掩蔽相邻的第二次氧化掩蔽后，把硅片进行氧化处理。其特征在于，用这样方法提供的凹陷区，结果是它的两个侧面有一个比较平的表面，与硅片的原始表面构成25°到45°的夹角，用5到50毫微米厚的氮化硅或含氧氮化硅，形成第二次氧化掩蔽，并直接用在凹陷区的两个侧面上，或者用小于5毫微米厚的氧化硅隔离。