| 发明名称 |
METHOD OF FORMING INSULATED ISLAND ON SILICON SUBSTRATE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS6432675(A) |
申请公布日期 |
1989.02.02 |
| 申请号 |
JP19880102841 |
申请日期 |
1988.04.27 |
| 申请人 |
TEXAS INSTR INC <TI> |
发明人 |
ERUDON JIEI ZOORINSUKII;DEBITSUDO BII SUPURATSUTO;RICHIYAADO ERU IIKURII |
| 分类号 |
H01L21/331;H01L21/76;H01L21/762;H01L29/73;H01L29/732 |
主分类号 |
H01L21/331 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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